ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287387
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】ハーフトーン型位相シフトマスクを用い感光膜パターンを形成する際、非露光領域で感光膜の一定厚さが露光し除去されるのを防止するために改良されたハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。【構成】非露光領域には光遮断膜を形成し、露光領域と非露光領域の境界面に位相シフト膜パターンを形成し、その上部に光の透過率が5〜20%程度を有する光透過性膜パターンを備えている。これにより、非露光領域の感光膜パターンが、エッジ部分で薄くならないようになり、エッチングやイオン注入工程の際、下層の損傷が防がれ素子の工程収率及び信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

ハーフトーン型位相反転マスクにおいて、透明基板上の非露光領域には光遮断膜パターンが形成され、前記非露光領域と露光領域の境界部には、位相シフト膜パターンとハーフトーン光透過膜パターンが積層され、露光領域は、前記透明基板が露出していることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-025841
特開平3-136854
特開平4-162039

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