半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004343
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208753
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】コンタクト抵抗を低減することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】リッジ部の少なくとも上面の全域を露出させる開口部9aを有する絶縁膜9と、リッジ部の側面には接触せずに、リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたp型電極10とを備える。

請求項（抜粋）：

活性層と前記活性層上に形成されたリッジ部とを有する半導体層と、前記半導体層を覆うように形成されるとともに、前記リッジ部の少なくとも上面の全域を露出させる開口部を有する絶縁膜と、前記リッジ部の側面には接触せずに、前記リッジ部の露出された上面に接触するように形成された電極層とを備えた、半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/22

FI (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/22

Fターム (10件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073CA07 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

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