特許
J-GLOBAL ID：200903054074694444

半導体構造体および半導体装置の製造方法

発明者：
横川 俊哉

横川 俊哉 について

, 
吉井 重雄

吉井 重雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039445
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232633
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 II-VI族半導体レーザ等の低コンタクト抵抗のp型オーム性電極構造体を提供する。【解決手段】 ZnSe系II-VI族半導体を用いた青色半導体レーザである。Siをドープしたn型GaAs基板11上に、Clをドープしたn型ZnSe層12、Clをドープしたn型ZnSSeクラッド層13、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層14、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層15、ZnCdSe活性層16、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層17、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドープしたp型ZnSSe層19、Nをドープしたp型ZnSe層110、アモルファスTe層111、絶縁層112である。Teアモルファス層111をコンタクト層に用いることにより、低いコンタクト抵抗が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した半導体多層膜と、前記多層膜上に形成したアモルファス半導体層と、前記アモルファス半導体層上に形成した金属電極とを備えたことを特徴とする半導体構造体。
IPC (6件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
H01L 33/00 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (26件)
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