特許
J-GLOBAL ID:200903018309129689

遮断機構を有する電力用半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-010307
公開番号(公開出願番号):特開2008-177411
出願日: 2007年01月19日
公開日(公表日): 2008年07月31日
要約:
【課題】低い温度で溶断されかつ抵抗値が小さい温度ヒューズを有する遮断機構を備えた電力用半導体装置を提供する。【解決手段】遮断機構10は、基板1の上側に設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体2および他方の主配線導体2と、電流が流れることによって発熱するように基板1の主表面上に設けられたヒータ導体4とを備えている。さらに、遮断機構10は、一方の主配線導体2と電極膜3とを接続する一方の低融点金属導体5と、他方の主配線導体2と電極膜3とを電気的に接続する他方の低融点金属導体5とを備えている。また、一方の低融点金属導体5および他方の低融点金属導体5のそれぞれが、一方の主配線導体2および他方の主配線導体2のいずれの融点よりも低い融点を有している。【選択図】図3
請求項(抜粋):
絶縁性の基板と、 前記基板の一方の主表面上に設けられた電極膜と、 前記基板の他方の主表面上に設けられ、電流が流れることによって発熱するヒータ導体と、 前記電極膜に近接して設けられ、それぞれが所定の電子回路に接続された一方の主配線導体および他方の主配線導体と、 前記一方の主配線導体と前記電極膜とを電気的に接続する一方の低融点導体と、 前記他方の主配線導体と前記電極膜とを電気的に接続する他方の低融点導体とを備え、 前記一方の低融点導体および前記他方の低融点導体のそれぞれが、前記一方の主配線導体および前記他方の主配線導体のいずれの融点よりも低い融点を有している、遮断機構を有する電力用半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/60
FI (2件):
H01L25/04 C ,  H01L23/56 B
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 保護素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-295255   出願人:関西日本電気株式会社
  • 保護素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-046640   出願人:関西日本電気株式会社
  • 保護素子およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-060266   出願人:関西日本電気株式会社
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審査官引用 (1件)

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