特許
J-GLOBAL ID：200903097702268795

保護素子およびその製造方法

発明者：
吉川 時弘

吉川 時弘 について


出願人/特許権者：
関西日本電気株式会社

関西日本電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260280
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を溶断させる抵抗体とを有する保護素子において、抵抗体の抵抗値を最適値に設定するとともに、抵抗体の発熱で可溶合金を短時間で溶断させる。【解決手段】 絶縁基板51の表面に離隔して形成した電極56,57にまたがって抵抗体64を形成し、抵抗体64の上を絶縁体層65で被覆して、絶縁体層65の上からレーザを照射して抵抗体64をトリミングして切れ目64aないし64cを形成して抵抗値を最適値に設定し、絶縁体層65の上に形成した電極(66,67)にまたがって可溶合金(68)を接続固着し、さらにフラックス(69)で被覆し、絶縁キャップ(70)で被覆して接着剤(71)で固着封止した。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前記絶縁基板の他方の面側に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に対応して形成されていることを特徴とする保護素子。
FI (2件)：
H01H 37/76 P ,  H01H 37/76 L
Fターム (7件)：
5G502AA02 ,  5G502BA08 ,  5G502BB10 ,  5G502BB13 ,  5G502EE01 ,  5G502EE06 ,  5G502JJ01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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