特許
J-GLOBAL ID：200903018310237215

プラズマ処理装置

発明者：
榊原 康史

榊原 康史 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268501
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130237
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】RF電源を備えたECRプラズマ処理装置を、成膜時に膜質を厚み方向に均一にすることのできる装置とする。【構成】ウエハホールダ20を、ヒータ21Cを内蔵した静電チャック21と,静電チャック21を固定する台座27とで構成し、静電チャック21で予めウエハ11の温度を上げておき、この温度で処理を開始し、処理中ウエハ温度を測定しつつヒータ21Cへの入力電力を制御して、ウエハ11へのプラズマ入射による温度上昇分、熱容量の小さい静電チャック21の温度を熱応答性よく降下させてウエハ温度を一定に維持する装置とする。
請求項（抜粋）：
真空排気手段を接続する真空排気口と,マイクロ波を導入するためのマイクロ波透過窓と,ガス導入口とを備えた真空容器と、真空容器を包囲して真空容器内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴領域を形成するソレノイドコイルと、真空容器内に位置して被処理基板を真空容器内に保持するウエハホールダに接続され被処理基板にRFバイアスを印加するRF電源とを備えてなり、真空容器内に処理用ガスを導入して被処理基板の表面に薄膜形成あるいは食刻等の処理を行うプラズマ処理装置において、ウエハホールダが、ヒータを内蔵した静電チャックと,静電チャックを固定する台座とからなり、処理中に、静電チャックに吸着,保持された被処理基板の温度を測定しつつ静電チャック内蔵のヒータに供給する電力を調節して被処理基板の温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/31
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048541   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 基板の温度制御方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247898   出願人：株式会社東芝
  • プラズマ処理方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-221217   出願人：株式会社日立製作所

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