特許
J-GLOBAL ID:200903018327319908
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-141301
公開番号(公開出願番号):特開2001-326304
出願日: 2000年05月15日
公開日(公表日): 2001年11月22日
要約:
【要約】【課題】 チップが配線基板上にアンダーフィル樹脂を介して搭載され、且つ樹脂封止体により樹脂封止された半導体装置において、配線基板に形成されたはんだ端子にかかる応力が低減される半導体装置を提供する。【解決手段】 チップ11は、配線基板10上にアンダーフィル樹脂12を介して搭載され、樹脂封止体14により樹脂封止されている。アンダーフィル樹脂12をチップ11のサイズより大きくし、その端部は、樹脂封止体14の少なくとも1つの側面から露出している。樹脂封止体14と配線基板10に形成されている配線及び端子との間には樹脂封止体よりヤング率の小さいアンダーフィル樹脂が介在しているので配線や端子にかかる応力が著しく低減される。また、使用されるアンダーフィル樹脂に含まれる水分は露出する端部から逃げるのでその量を低減させて耐リフロー性を向上させることができる。
請求項(抜粋):
半導体チップと、前記半導体チップが搭載された配線基板と、前記半導体チップと前記配線基板との間に介在されたアンダーフィル樹脂と、前記半導体チップ、前記アンダーフィル樹脂及び前記配線基板を封止する樹脂封止体とを備え、前記アンダーフィル樹脂は、前記半導体チップのサイズより大きく、且つその端部は、前記樹脂封止体の少なくとも1つの側面から露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
, H01L 21/60 311
FI (3件):
H01L 21/56 R
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/30 B
Fターム (22件):
4M109AA02
, 4M109BA05
, 4M109CA04
, 4M109CA21
, 4M109CA22
, 4M109DB15
, 4M109EA02
, 4M109EC04
, 4M109EC05
, 4M109ED02
, 4M109EE02
, 4M109EE03
, 5F044KK02
, 5F044KK03
, 5F044KK04
, 5F044LL13
, 5F061AA02
, 5F061BA05
, 5F061CA04
, 5F061CA21
, 5F061CA22
, 5F061CB13
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-103116
出願人:日東電工株式会社
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樹脂封止型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-190527
出願人:日立化成工業株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-191627
出願人:三菱電機株式会社
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