特許
J-GLOBAL ID：200903068695509382
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-103116
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297904
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極部に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との電気的接続信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】複数の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1面に、上記接続用電極部2に対応する接続用電極部3が設けられた半導体素子5が、上記配線回路基板1面に設けられた接続用電極部2と半導体素子5面に設けられた接続用電極部3とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板1と半導体素子5との間の空隙が封止樹脂層4によって封止された半導体装置である。そして、上記封止樹脂層4が、下記の硬化物特性(Y)を備えている。とともに、上記半導体素子5と配線回路基板1との当接状態における距離が50μm以下に設定されている。(Y)40〜80°Cの間における平均熱膨張係数が100ppm/°C以下である。
請求項（抜粋）：
接続用電極部が設けられた配線回路基板面に、上記接続用電極部に対応する接続用電極部が設けられた半導体素子が、上記配線回路基板面に設けられた接続用電極部と半導体素子面に設けられた接続用電極部とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(Y)を備えているとともに、上記半導体素子と配線回路基板との当接状態における距離が50μm以下に設定されていることを特徴とする半導体装置。(Y)40〜80°Cの間における平均熱膨張係数が100ppm/°C以下である。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
, C08G 59/62
H01L 23/30 R
, H01L 21/56 E
, H01L 21/56 R
, C08G 59/62
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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