半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307765
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極の層抵抗の上昇を抑止し、ゲート電極表面に形成されたシリサイド層との接触抵抗の上昇を防止する。【解決手段】多層構造のゲート電極のうち、最下層のみに不純物をドープして大粒の層として形成し、その上層は、不純物を含まないで形成する。

請求項（抜粋）：

多層構造のゲート電極を有する半導体装置であって、前記ゲート電極の最下層のみに不純物を含むものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/20 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/20 , H01L 21/28 301 A , H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

全件表示

前のページに戻る