特許
J-GLOBAL ID：200903018437576345
発光素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
板谷 康夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-524537
公開番号（公開出願番号）：特表2007-503718
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】発光素子とその製造方法において、発光効率が高く、かつ実装が容易な発光素子の実現とその製造の容易化を図る。【解決手段】発光素子1は、n型窒化物半導体層2、p型窒化物半導体層3を一部に非積層部20を設けて積層した一方の面に、半導体層2,3に電流を注入するための半導体面電極21,31、半導体層2,3を保持する絶縁層4、実装用の実装面電極5とを備える。絶縁層4は、実装面電極5と半導体面電極21,31を導通させるVIA10を備える。透明結晶基板上に半導体層2,3と半導体面電極21,31とを積層し、ビルドアップ基板工程を用いて、絶縁層4と実装面電極5及びVIA10を形成した後、透明結晶基板を半導体層2から分離して発光素子1が製造される。実装面電極5により、プリント基板と同様に実装ができる。半導体層2,3から直接、効率良く光を外部に取り出すことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型及びn型窒化物半導体層を積層して形成した発光素子において、
前記各半導体層に電流を注入するための半導体面電極と、
前記各半導体層を保持するための絶縁層と、
前記絶縁層の前記半導体層がある面とは反対側の面に設けた実装用の実装面電極と、を備え、
一方の半導体層は他方の半導体層と、一部に積層していない非積層部を持ち、
前記一方の半導体層に積層された半導体面電極は前記非積層部に積層されており、
前記実装面電極と前記半導体面電極とを導通させるVIAが前記絶縁層に形成され、前記半導体面電極、絶縁層、及び実装面電極は、前記積層された半導体層の一方の面に順に積層されていることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA71
, 5F041CA77
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB25
