特許
J-GLOBAL ID：200903095874313820

発光素子および発光装置ならびにそれらの製造方法

発明者：
井上 登美男

井上 登美男 について

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真田 研一

真田 研一 について

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小屋 賢一

小屋 賢一 について

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福田 康彦

福田 康彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393079
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230448
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 発光素子の電気的接続のための電極に必要な面積を低減し、発光素子全体の小型化と発光素子の輝度および光の取り出し効率の向上とを実現する。【解決手段】 サファイア基板上に形成されたGaN層等からなるダブルヘテロ構造を有するGaN系LED素子1がシリコン基板に形成されたSiダイオード素子2の上にフェイスダウン状態で搭載されている。GaN系LED素子1のp電極5とSiダイオード素子2のn電極8との間、および、GaN系LED素子1のn電極6とSiダイオード素子2のp電極7との間は、それぞれ、Auマイクロバンプ11および12を介して電気的に接続されており、Siダイオード素子2は静電破壊からLED素子1を守る働きをする。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域のうちの一部の領域の上に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域のうちの前記一部の領域以外の他の領域の上に形成された第1の電極と、前記第2導電型半導体領域の上に形成された第2の電極と、を備えた発光素子であって、前記第1および第2の電極上に形成された導電性材料からなる複数のマイクロバンプを更に備え、前記第1の電極上に形成された前記マイクロバンプの数は1であり、前記第2の電極上に形成された前記マイクロバンプの数は1以上であることを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (7件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 J ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (8件)
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