特許
J-GLOBAL ID：200903018439939852

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者：
大口 寿史

大口 寿史 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-149465
公開番号（公開出願番号）：特開2008-305851
出願日： 2007年06月05日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるH3PO4液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【解決手段】H3PO4処理装置100は、ウエハを浸漬するH3PO4液を滞留させる処理槽10と、処理槽10に新しいH3PO4液を供給する新液供給機構15と、処理槽10からH3PO4液を排液する排液機構16,17と、事前に入手された積算SiNエッチング量に対するエッチングレート,対酸化膜選択比を記憶したデータベース31と、現在のH3PO4液を用いて次処理のウエハを処理した場合に所望のエッチングレートおよび対酸化膜選択比が得られるか否かを判断する処理判断部34と、処理判断部34の判断が否であり、かつ、現在のH3PO4液におけるSi濃度を低下させる必要がある場合にH3PO4液排出量と新しいH3PO4液供給量を算出する給排液量計算部35とを有する制御ユニット20を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられたSiN膜をリン酸液でエッチング処理するための半導体製造装置であって、 半導体基板を浸漬するためのリン酸液を滞留させるエッチング処理槽と、 前記エッチング処理槽に新しいリン酸液を供給する新液供給機構と、 前記エッチング処理槽からリン酸液を排液する排液機構と、 事前に入手された積算SiNエッチング量に対するエッチングレート,対酸化膜選択比を記憶したデータベースと、現在のリン酸液を用いて次処理の半導体基板をエッチング処理した場合に所望のエッチングレートおよび対酸化膜選択比が得られるか否かを判断する処理判断部と、前記処理判断部の判断が否であり、かつ、現在のリン酸液におけるSi濃度を低下させる必要がある場合に前記排液機構によるリン酸液排出量と前記新液供給機構による新しいリン酸液の供給量を算出する給排液量計算部とを有する制御ユニットと、 を具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/306 E
Fターム (3件)：
5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043EE23
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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