特許
J-GLOBAL ID：200903018452321922
位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-244218
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 酸素および/または窒素を含む雰囲気中で、遷移金属とケイ素とを原子比で30:1〜1:20の割合で含むターゲットをスパッタリングして、透明基板上に、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素を主な構成要素とする光半透過膜を形成してなるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、およびこの位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなるハーフトーン型位相シフトマスク。
請求項（抜粋）：
透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とし、かつ酸素および/または窒素を含む雰囲気中において、遷移金属とケイ素とを原子比30:1〜1:20の割合で含有するターゲットをスパッタリングすることにより形成されたものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/14 G
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
