半導体記憶装置及びその欠陥救済方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274773
公開番号（公開出願番号）：特開平11-120788
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】無駄なセルの発生を防止して、大容量化しても余り面積増大せずに不良セルを冗長セルに置き替える。【解決手段】メモリアレイ1を構成するメモリセルMxと、当該メモリセルMxを代替可能な冗長メモリセルM10と、メモリセルMxが不良と判断されるときに当該不良メモリセルMxのアドレスが予め記憶されるアドレス用メモリセルM12と、入力されるメモリアレイ1のアドレスをアドレス用メモリセルM12から読み出した記憶アドレスと比較して、アドレスが一致したときに、当該一致したアドレスに対応するメモリセルMxを冗長メモリセルM10と置き替える置き替え手段(アドレス比較回路22および入出力セレクタ24)とを有する。冗長判定は、そのフラグ用としてメモリセルM14を別途設けるか、アドレス用メモリセルM12内のセルデータの種類を変えて行う。

請求項（抜粋）：

メモリアレイを構成するメモリセルと、当該メモリセルを代替可能な冗長メモリセルとを有する半導体記憶装置であって、前記メモリセルが不良と判断されるときに当該不良メモリセルのアドレスが予め記憶されるアドレス用メモリセルと、入力される前記メモリアレイのアドレスを前記アドレス用メモリセルから読み出した記憶アドレスと比較して、アドレスが一致したときに、当該一致したアドレスに対応するメモリセルを前記冗長メモリセルと置き替える置き替え手段とを有する半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196603 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243261 出願人：株式会社日立製作所
誤り訂正可能な半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000975 出願人：シャープ株式会社

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