特許
J-GLOBAL ID：200903018496473878
CZ法シリコン単結晶引上炉及びそのヒータ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-290558
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116390
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 ストリエーションを確実に抑制でき、かつ、単結晶化率を高い値に保てるようにする。【解決手段】 ヒータの頂辺26から底辺方向に切り込んだスリット24と、ヒータの底辺27から頂辺方向に切り込んだスリット25を備えたCZ法シリコン単結晶引上炉用ヒータにおいて、前記2種類のスリット24、25のオーバーラップ長さをhとし、ヒータの内径をdとした場合に、hとdの比(h/d)が0.55≦(h/d)≦0.70となることを特徴とするCZ法シリコン単結晶引上炉用ヒータ。
請求項（抜粋）：
ヒータの頂辺(26)から底辺方向に切り込んだスリット(24)と、ヒータの底辺(27)から頂辺方向に切り込んだスリット(25)を備えたCZ法シリコン単結晶引上炉用ヒータにおいて、前記2種類のスリット(24、25)のオーバーラップ長さをhとし、ヒータの内径をdとした場合に、hとdの比(h/d)が0.55≦(h/d)≦0.70となることを特徴とするCZ法シリコン単結晶引上炉用ヒータ。
IPC (5件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/14
, H01L 21/208
, H05B 3/14
, H05B 3/20 303
C30B 29/06 502 E
, C30B 15/14
, H01L 21/208 P
, H05B 3/14 F
, H05B 3/20 303
