特許
J-GLOBAL ID：200903081295718019
シリコン単結晶の製造装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-183692
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 HMCZ法による単結晶製造装置において、大口径の石英ルツボに多量のシリコン融液を収納し、この融液から、不純物濃度の連続性を改善した大直径のシリコン単結晶を安定して製造する。【解決手段】 本発明のシリコン単結晶製造装置では、ルツボ2加熱用の抵抗加熱ヒータ4として、発熱部であるスリット4aの長さLsがルツボの内径Rの0.3倍以上、0.7倍以下であるものを設け、抵抗加熱ヒータおよびルツボは昇降機構により昇降可能とする。この製造装置において、ルツボ内のシリコン融液量が単結晶引上げ時間の経過とともに減少する操作条件によりシリコン単結晶を製造するに際しては、結晶引上げ開始時点において、抵抗加熱ヒータのスリットの上下方向中心Csをシリコン融液6の表面Smより下方に位置させるとともに、単結晶引上げによる表面Smの降下分をルツボの上昇により相殺する。
請求項（抜粋）：
引上げチャンバ内に有底円筒状ルツボと、このルツボを囲繞する抵抗加熱ヒータとを設け、磁場印加装置の電磁石を構成するコイルを前記引上げチャンバ外に、かつ前記ルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内のシリコン融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から大直径の単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造装置において、前記抵抗加熱ヒータは、発熱部であるスリットの長さが前記ルツボの内径の0.3倍以上、0.7倍以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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