特許
J-GLOBAL ID：200903013390240589

3-5族化合物半導体の製造方法および発光素子

発明者：
家近 泰

家近 泰 について

, 
高田 朋幸

高田 朋幸 について

, 
乾 勝美

乾 勝美 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322911
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163523
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】生産性が高く、歩留まりが向上した、特性の安定な3-5族化合物半導体の製造方法およびこれを用いた発光素子を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させる3-5族化合物半導体の製造方法。〔2〕前記〔1〕記載の3-5族化合物半導体の製造方法により得られた発光素子。
請求項（抜粋）：
一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 H
引用特許：
審査官引用 (6件)
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