光電変換材料用半導体、光電変換材料用半導体の製造方法、光電変換素子及び太陽電池

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391508
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197280
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】少ない工程数で簡便に基材との接着性が良好な光電変換材料用半導体の製造方法を提供し、更には、光電変換効率が高く、高耐久性を有する光電変換材料用半導体、光電変換素子、該光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。【解決手段】基材上に少なくとも半導体を含有する半導体層を有する光電変換材料用半導体において、大気圧または大気圧近傍の圧力下、半導体を形成するための反応性ガスをプラズマ状態とし、該基材を該プラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより該半導体層が形成されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。

請求項（抜粋）：

基材上に、少なくとも半導体を含有する半導体層を有する光電変換材料用半導体において、大気圧または大気圧近傍の圧力下、半導体を形成するための反応性ガスをプラズマ状態とし、該基材を該プラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより該半導体層が形成されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2件)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

Fターム (16件)：

5F051AA14 , 5F051BA03 , 5F051BA04 , 5F051BA14 , 5F051CA16 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F051GA06 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032EE16 , 5H032HH04 , 5H032HH06 , 5H032HH08

引用特許：

出願人引用 (4件)

金属酸化物、その薄膜及びこれを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-143206 出願人：コニカ株式会社
半導体電極およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347683 出願人：株式会社豊田中央研究所
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364918 出願人：日立マクセル株式会社

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審査官引用 (1件)

金属酸化物、その薄膜及びこれを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-143206 出願人：コニカ株式会社

引用文献：

出願人引用 (2件)

第4章グレッツェル・セル作製の実際
第20章 CVDを用いた色素増感太陽電池の作製

審査官引用 (2件)

第4章グレッツェル・セル作製の実際
第20章 CVDを用いた色素増感太陽電池の作製

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