特許
J-GLOBAL ID：200903018597295466

負帯電用電子写真感光体

発明者：
岡村 竜次

岡村 竜次 について

, 
橋爪 淳一郎

橋爪 淳一郎 について

, 
細井 一人

細井 一人 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109395
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015335
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 a-Si系の負帯電用電子写真感光体において、帯電能および感度を向上し、光メモリーを低減し、画像流れを低減し、画像品位を向上する。【解決手段】 アルミニウム系基体101上に皮膜102及び光受容層103を積層し、皮膜102の膜厚を0.5nm以上15nm以下とし、1原子部のアルミニウムに対し0.1原子部以上1原子部以下のシリコンと1原子部以上5原子部以下の酸素とより作製し、光受容層102を、窒素および酸素を含みシリコンを母体とし不純物によりドープされていない非単結晶シリコン膜からなる下部電荷注入阻止層104と、非単結晶シリコン膜からなる光導電層105と、炭素および第13族原子を含みシリコンを母体とする非単結晶シリコン膜からなる上部電荷注入阻止層106と、炭素を含みシリコンを母体とする非単結晶シリコン膜からなる表面保護層107とを積層して作製する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム又はアルミニウム合金基体上に、少なくとも、皮膜および光受容層がこの順に積層されてなる負帯電用電子写真感光体であって、該皮膜は、0.5nm以上15nm以下の膜厚であり、アルミニウム、シリコン及び酸素から主になり、1原子部のアルミニウムに対し0.1原子部以上1原子部以下のシリコンと1原子部以上5原子部以下の酸素とを含んでなり、該光受容層は、少なくとも、窒素および酸素を含みシリコンを母体とし不純物がドープされていない非単結晶シリコン膜からなる下部電荷注入阻止層と、シリコンを母体とする非単結晶シリコン膜からなる光導電層と、炭素および第13族原子を含みシリコンを母体とする非単結晶シリコン膜からなる上部電荷注入阻止層と、炭素を含みシリコンを母体とする非単結晶シリコン膜からなる表面保護層とがこの順に積層されてなることを特徴とする負帯電用電子写真感光体。
IPC (8件)：
G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 303 ,  G03G 5/08 306 ,  G03G 5/08 308 ,  G03G 5/08 312 ,  G03G 5/08 334 ,  G03G 5/08 335 ,  G03G 5/10
FI (8件)：
G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 303 ,  G03G 5/08 306 ,  G03G 5/08 308 ,  G03G 5/08 312 ,  G03G 5/08 334 ,  G03G 5/08 335 ,  G03G 5/10 B
Fターム (15件)：
2H068CA32 ,  2H068CA34 ,  2H068DA05 ,  2H068DA08 ,  2H068DA12 ,  2H068DA14 ,  2H068DA19 ,  2H068DA23 ,  2H068DA56 ,  2H068DA57 ,  2H068DA62 ,  2H068DA64 ,  2H068DA69 ,  2H068DA72 ,  2H068FC03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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