特許
J-GLOBAL ID：200903018597373319

アモルファス皮膜の形成方法

発明者：
倉橋 隆郎

倉橋 隆郎 について


出願人/特許権者：
倉橋 隆郎

倉橋 隆郎 について


代理人 (1件)： 細見 吉生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365580
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126795
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 母材上の広い面積の部分に対しても簡単な作業によって容易にアモルファス皮膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】 材料とする金属を、冷却速度が100000°C/秒以上になるよう母材上に溶射する。たとえば、溶射火炎の最高温度を2000〜3000°Cにするとともに母材表面の温度を500°C以下にする。また、材料とする金属は、MgおよびZnを成分とする金属粉末を、Mgの重量比率が2〜5%となるように混合して使用するとよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
母材表面にアモルファス皮膜を形成する方法であって、 材料とする金属を、冷却速度が10万°C/秒以上になるよう母材上に溶射することを特徴とするアモルファス皮膜の形成方法。
IPC (2件)：
C23C4/12 ,  C23C4/08
FI (2件)：
C23C4/12 ,  C23C4/08
Fターム (8件)：
4K031AA01 ,  4K031AB09 ,  4K031CB08 ,  4K031CB18 ,  4K031CB31 ,  4K031DA01 ,  4K031EA10 ,  4K031EA12
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 酸化物超電導体膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-089547   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 株式会社神戸製鋼所, シヤープ株式会社, 電源開発株式会社
  • 溶射方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-159408   出願人：株式会社クボタ
審査官引用 (11件)
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