電界効果トランジスター、その製造方法及び該電界効果トランジスターを製造するための積層体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：苗村新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058598
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258264
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ技術が適用可能な固体基板上に作製した回路配線をプラスチック等の有機材料基板上へ配線構造を損なうことなく移し取ることができ、絶縁層を含む多層構造の構築が可能で、しかも基板からの回路配線の脱落を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応できる電界効果トランジスターの製造方法、及び生産のエネルギーコストが低く、フレキシブルな素子構造を実現可能な電界効果トランジスターを製造するための積層体、並びに電界効果トランジスターを提供する。【解決手段】基板2の一方の面に第一の電極5を形成する工程と、基板2の第一の電極5が形成された側の面に、少なくとも第一の電極5を含む領域を覆うよう有機薄膜6を形成する工程と、有機薄膜6の表面に第二の電極7を形成する工程と、基板2を第一の電極5及び第二の電極7を有する有機薄膜6から脱離する工程と、基板2を脱離した有機薄膜6の第一の電極5側の面に有機半導体9を積層する工程と、を有する電界効果トランジスターの製造方法。

請求項（抜粋）：

基板の一方の面に第一の電極を形成する工程と、基板の第一の電極が形成された側の面に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう有機薄膜を形成する工程と、有機薄膜の表面に第二の電極を形成する工程と、基板を第一の電極及び第二の電極を有する有機薄膜から脱離する工程と、基板を脱離した有機薄膜の第一の電極側の面に有機半導体を積層する工程と、を有する電界効果トランジスターの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 21/28 E , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 T , H01L 29/28 , H01L 29/50 M , H01L 29/78 627 D

Fターム (54件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK11 , 5F110HK14 , 5F110HK16 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (7件)

有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-185816 出願人：富士ゼロックス株式会社
複合部材の分離方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-231781 出願人：キヤノン株式会社
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264313 出願人：三菱電機株式会社

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