特許

J-GLOBAL ID：200903018669606690

半導体受光素子

発明者： 松岡 裕 ,  村本 好史 ,  加藤 和利 ,  石橋 忠夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290277
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124493
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】高速性、高効率性、高出力性を同時に備えた導波路型半導体受光素子を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性InP基板1上に第1〜第5の半導体層を形成し、第1の半導体層102は、p型の第3の半導体層105と極性が逆のn型で、第1の半導体層102のBGE(バンドギャップエネルギ)はInP基板1のBGEと第3の半導体層105のBGEとの中間の値とし、第2の半導体層103のドーピング濃度は第1及び第3の半導体層102、105のドーピング濃度より低くし、第2の半導体層103のBGEは第1の半導体層102のBGEよりも大きい値にし、第4の半導体層106はp型とし、BGEは第3の半導体層102のBGEよりも大きい値とし、第5の半導体層107はp型とし、BGEは第4の半導体層106のBGEよりも大きい値とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも5層以上の複数の半導体層を形成し、少なくとも上記半導体層の一部をメサ形状に加工し、上記半導体層の外側層にそれぞれオーミック電極を設け、光信号を上記半導体層に沿って入射させ、上記光信号から電気信号を取り出す半導体受光素子において、上記半導体基板側から順次第1〜第5の半導体層を形成し、上記第3の半導体層は第1の導電型を有し、光吸収層として働き、上記第1の半導体層は上記第3の半導体層と極性が逆の第2の導電型を有し、バンドギャップエネルギーが上記半導体基板のバンドギャップエネルギーと上記第3の半導体層のバンドギャップエネルギーとの中間の値を有し、上記第2の半導体層はドーピング濃度が上記第1及び第3の半導体層のドーピング濃度より低く、バンドギャップエネルギーが上記第1の半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きい値を有し、上記第4の半導体層は上記第1の導電型を有し、バンドギャップエネルギーが上記第3の半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きい値を有し、上記第5の半導体層は上記第1の導電型を有し、バンドギャップエネルギーが上記第4の半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きい値を有することを特徴とする半導体受光素子。

Fターム (8件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049QA03 ,  5F049QA08 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-043355   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-028682   出願人：日本電信電話株式会社
• フォトダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-083704   出願人：日本電信電話株式会社
• 特許第793279号