メモリ管理方式

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084322
公開番号（公開出願番号）：特開2003-280822
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】不揮発性メモリの読み書きに係る処理時間を短縮し、また、メモリ資源を効率よく使う。【解決手段】セクタアドレス変換テーブル23およびブロック情報テーブル25を用いて、メモリライト処理により、未ライトブロックが存在する物理セクタアドレスが検出され、メモリリード処理により、ライト済ブロックが存在する物理セクタアドレスが検出され、また、メモリ結合処理により、複数の物理セクタアドレスと対応付けられた仮想セクタアドレスが一つの物理セクタアドレスと対応づけられ、メモリイレーズ処理により、イレーズすべき仮想セクタアドレスに対する物理セクタアドレス群が削除され、メモリコピー処理及びメモリ移動処理により、仮想セクタアドレスと物理セクタアドレスの対応付けの情報が書き換えられる。

請求項（抜粋）：

各々が複数の書き込み単位の物理ブロックを有してなる複数の消去単位の物理セクタで構成される物理メモリに対して、当該物理メモリの物理セクタに対応付けられた複数の仮想セクタを有してなる仮想メモリを用いてデータの読み書きを管理するメモリ管理方式であって、仮想セクタのアドレスと前記単一または複数の物理セクタのアドレスとを対応付けるセクタアドレス管理手段と、このセクタアドレス管理手段により対応付けられた物理セクタに属する物理ブロックの使用状態を示すブロック情報を管理するブロック情報管理手段と、前記セクタアドレス管理手段により管理される物理セクタと前記ブロック情報管理手段により管理される物理ブロックに基づいて必要な物理セクタのアドレスを検出するセクタアドレス検出手段と、前記セクタアドレス検出手段により検出された物理セクタのアドレスおよび前記ブロック情報管理手段により管理される物理ブロックのアドレスに基づいて物理メモリアドレスを生成するアドレス生成手段と、を有することを特徴とするメモリ管理方式。

IPC (4件)：

G06F 3/06 301 , G06F 3/08 , G06F 12/00 597 , G06F 12/02 570

FI (4件)：

G06F 3/06 301 J , G06F 3/08 H , G06F 12/00 597 U , G06F 12/02 570 A

Fターム (9件)：

5B060AB26 , 5B065BA05 , 5B065CA12 , 5B065CC02 , 5B065CC03 , 5B065CC08 , 5B065CE12 , 5B065CH01 , 5B065CS01

引用特許：

審査官引用 (4件)

メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-129160 出願人：ティーディーケイ株式会社
フラッシュメモリ内のブロックにおける移動セクタ
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-541928 出願人：レクサーメディア,インコーポレイテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000707 出願人：三菱電機株式会社

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