特許
J-GLOBAL ID：200903018678507069

半導体装置の製造方法

発明者：
齋藤 隆

齋藤 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306621
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120827
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 ウェハの厚さが薄くなった場合であっても、ウェハに損傷を与えることなく搬送および電気的特性検査を実施できる技術を提供する。【解決手段】 ウェハ8をウェハ治具1とウェハ固定枠5によって固定して搬送する。具体的には、複数の貫通孔4が形成された導体3上にウェハ8を配置し、このウェハ8上にウェハ固定枠5を配置する。ウェハ固定枠5は外縁部6と内縁部7から形成されており、内縁部7の内側は空洞化されている。そして、内縁部7をウェハ8の外周部に接触させるようにしてウェハ8を固定する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
複数の貫通孔を有する導体より形成されたウェハ治具上にウェハを配置し、かつ前記ウェハの外周部上に前記ウェハを固定するウェハ固定枠を配置した状態で、前記ウェハを搬送する工程を備える半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/677 ,  H01L 21/673 ,  H01L 21/66
FI (6件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/68 A ,  H01L21/68 P ,  H01L21/68 U ,  H01L21/66 B ,  H01L21/66 D
Fターム (15件)：
4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106DJ02 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA08 ,  5F031HA13 ,  5F031HA33 ,  5F031MA33 ,  5F031PA13 ,  5F031PA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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