特許
J-GLOBAL ID：200903024258924225

ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置

発明者：
竹腰 清

竹腰 清 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057772
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258067
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 集積回路素子が縦横に配列された半導体ウエハをダイシングした後、ダイシングしたままの状態で各集積回路チップに対して検査装置により電気的特性の検査を行えるようにすること。【解決手段】 ウエハサイズよりも大きいリング状のフレームの内側に例えば紫外線により粘着性が小さくなる第1の粘着フィルム22を展張し、この上にウエハを貼り付ける。そして板状の治具3の上に両面の粘着性が加熱により小さくなる第2の粘着フィルム4を貼り付け、当該フィルムの上に前記第1のフィルムを貼り付け、その後ダイシングを行う。この場合ウエハは治具に貼り付いた状態となるため各チップの相対位置がずれない。従って治具ごと検査装置に搬入してチップの電極パッドとプローブとの位置合わせができるので例えば複数のチップについて一括して検査を行うことができる。
請求項（抜粋）：
複数の集積回路素子が縦横に配列された半導体基板の裏面を少なくとも集積回路素子の配列領域の全体に亘って接着層を介して板状の治具に接着させる工程と、次いで切断刃により前記半導体基板を切断することにより各集積回路チップに分離する工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/301
FI (2件)：
H01L 21/68 N ,  H01L 21/78 M
Fターム (6件)：
5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031HA78 ,  5F031MA34 ,  5F031MA39 ,  5F031MA40
引用特許：
審査官引用 (11件)
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