特許
J-GLOBAL ID:200903018704366541
電子基板の製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-337367
公開番号(公開出願番号):特開2004-056065
出願日: 2002年11月21日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】半導体モジュールとメイン基板との間の接続信頼性を維持しつつ放熱性を向上させる。【解決手段】信号電極と該信号電極と独立した放熱用電極を備えた半導体モジュールと、該半導体モジュールが実装されているメイン基板とを有する電子基板の製造方法において、半導体モジュールの放熱用電極と基板の電極のいずれかの上に半田を配置し、初期リフローせずに半導体モジュールの放熱用電極と基板の電極との位置合わせを行ない、1次リフローすることにより半導体モジュールの放熱用電極と基板の電極を接合する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
信号電極と該信号電極と独立した放熱用電極を備えた半導体モジュールと、該半導体モジュールが実装されているメイン基板とを有する電子基板の製造方法において、
前記半導体モジュールの放熱用電極と前記基板の電極のいずれかの上に半田を配置し、初期リフローせずに前記半導体モジュールの放熱用電極と前記基板の電極との位置合わせを行ない、1次リフローすることにより前記半導体モジュールの放熱用電極と前記基板の電極を接合することを特徴とする電子基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (4件):
H05K3/34 507C
, H05K3/34 505A
, H05K3/34 505C
, H01L21/60 311Q
Fターム (17件):
5E319AA03
, 5E319AA07
, 5E319AB06
, 5E319AC04
, 5E319AC06
, 5E319BB04
, 5E319BB05
, 5E319BB08
, 5E319CC33
, 5E319CD04
, 5E319CD21
, 5E319CD25
, 5E319CD29
, 5E319GG03
, 5E319GG11
, 5F044KK02
, 5F044LL01
引用特許:
前のページに戻る