特許
J-GLOBAL ID：200903078370246941

半導体パッケージ、半導体パッケージの実装構造及び半導体パッケージの製造方法

発明者：
小林 寛隆

小林 寛隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169873
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352021
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 薄型化を損なうことなく高い放熱効果が得られる半導体パッケージを提供する。【解決手段】 開口部1aを有すると共に表面に配線4を設けてなる基板1と、開口部1aを塞ぐ状態で基板1の表面に対向して設けられ、バンプ7を介して開口部1a周囲の配線4に対して電気的に接続された半導体チップ2と、開口部1a内にはめ込まれ、樹脂10を介して半導体チップ2の表面側に貼り付けられた放熱板3とを備えた半導体パッケージである。放熱板3は、半導体チップ2の線膨張率と同程度の線膨張率を有する材質からなる。
請求項（抜粋）：
開口部を有すると共に表面に配線を設けてなる基板と、前記開口部を塞ぐ状態で前記基板の表面に対向して設けられ、バンプを介して当該開口部周囲の前記配線に対して電気的に接続された半導体チップと、前記開口部内にはめ込まれ、樹脂を介して前記半導体チップの表面側に貼り付けられた放熱板とを備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (4件)：
H01L 23/36 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28
FI (4件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/12 L
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA04 ,  4M109DB02 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BE01 ,  5F044KK01 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR10 ,  5F044RR18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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