特許
J-GLOBAL ID：200903098097727169
薄膜作成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332409
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150073
出願日： 1997年11月16日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 処理チャンバー内の露出部位への薄膜の堆積を抑制して良質な薄膜の選択成長処理を高い生産性で行えるようにする。【解決手段】 処理チャンバー1内でヒータ4によって加熱されている基板9にジシランガスが導入され、熱CVDによって基板9のシリコン表面にのみシリコン膜が堆積する。基板9からの輻射熱を反射させて戻すよう処理チャンバー1内に設けられた熱反射板6は、シリコン製であって表面にシリコン酸化膜61が形成されている。シリコン酸化膜61の表面にはジシランの分解によってシリコン原子が析出付着するが、各基板9の成膜処理の合間に酸素ガスを導入した改質オペレーションが行われ、Si-Si結合が生じていない孤立状態のSi原子が酸化シリコンに変えられる。従って、熱反射板6の表面は常に選択成長の条件が維持されてシリコン膜の堆積が抑制される。
請求項（抜粋）：
第一の材料よりなる第一の表面領域と第一の材料とは異なる第二の材料よりなる第二の表面領域を有する基板を処理チャンバー内に配置するとともに、この処理チャンバー内に所定の反応性ガスを導入して、当該第一第二の二つの表面領域における表面反応の差を利用して当該第一の表面領域にのみ選択的に薄膜を作成する薄膜作成装置であって、前記処理チャンバー内の露出部位の表面が前記第二の材料からなるように改質するか又は第二の材料による場合と同様の表面反応の差が得られるように改質する改質用ガスを前記処理チャンバー内に導入する改質用ガス導入系を備えていることを特徴とする薄膜作成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/30
, C23C 16/44
H01L 21/205
, C23C 16/30
, C23C 16/44 D
