特許
J-GLOBAL ID:200903018759755970

電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-049722
公開番号(公開出願番号):特開平11-072804
出願日: 1998年03月02日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。【解決手段】 液晶パネル用基板は、画素領域において第2のメタル層からなる遮光膜12に開けた開口部12aを通して遮光膜下の第2の層間絶縁膜11を挟んで第1のメタル層からなる配線膜10と遮光膜上の第3の層間絶縁膜13を挟んで第3のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ15を備えている。非画素領域の入力端子パッド26の周囲に、第1のメタル層からなる下層ダミーパターンAと第2のメタル層からなる上層ダミーパターンBが積み重ね形成されている。ダミーパターンA,B上の第3の層間絶縁膜13の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、CMP処理において一様の研磨レートが得られる。
請求項(抜粋):
各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記基板上の非画素領域において形成された少なくとも端子パッドの近傍には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有して成ることを特徴とする電気光学装置用基板。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343
FI (2件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る