特許
J-GLOBAL ID：200903018806060072

半導体発光素子

発明者：
船戸 健次

船戸 健次 について

, 
宮嶋 孝夫

宮嶋 孝夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-073463
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280673
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 活性層のIn組成分布のウエハ面内均一性が良好な構成を備えたAlBGaInN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本半導体発光素子は、Alx By Ga1-x-y-z Inz N(1>x≧0、1>y≧0、及び1>z>0)系半導体発光素子であって、単一量子井戸構造の例では、GaN障壁層42A、Bと、GaN障壁層42A、Bに挟まれたInN井戸層44とを有する、図1(a)に示すようなバンド構造の単一量子井戸構造からなる活性層を備えている。また、本半導体発光素子は、多重量子井戸構造の例では、GaN障壁層46A〜DとGaN障壁層46A〜Dの各障壁層間にそれぞれ挟まれたInN井戸層48A〜Cと有する、図1(b)に示すようなバンド構造の多重量子井戸構造からなる活性層を備えている。
請求項（抜粋）：
活性層を有するAlx By Ga1-x-y-z Inz N(1>x≧0、1>y≧0、及び1>z>0)系半導体発光素子において、活性層が、In以外のIII 族の2元III 族窒化物化合物半導体からなる障壁層と、InNからなる井戸層との量子井戸構造として形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (28件)：
5F041AA11 ,  5F041AA41 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CB05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA60 ,  5F073AA11 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (3件)

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