特許
J-GLOBAL ID：200903018814697900

半導体集積回路装置及びそれを用いた車載レーダシステム

発明者：
西嶋 将明

西嶋 将明 について

, 
上田 大助

上田 大助 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-336104
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173595
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】能動回路と受動回路とを含む半導体集積回路装置において、チップ面積を縮小可能としながら、高周波損失を低減し且つ段差による配線切れを防止できるようにする。【解決手段】半導体集積回路装置(MMIC)は、サファイアからなる基板11上の一部の領域に形成されたIII-V族窒化物半導体層15からなるHFET19と、基板11の上に、III-V族窒化物半導体層15の上面、側面及び上端の角部を覆うように形成された誘電体膜20とを有している。基板11の上には、誘電体膜20を介在させて形成されたマイクロストリップ線路25aと、誘電体膜20の上に形成され、HFET19とマイクロストリップ線路25aとを電気的に接続するドレイン引き出し配線25とを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性を有する基板と、 前記基板上の一部の領域に形成されたIII-V族窒化物半導体層を含む能動回路と、 前記基板の上に、前記III-V族窒化物半導体層の上面、側面及び上端の角部を覆うように形成された誘電体膜と、 前記基板の上に前記誘電体膜を介在させて形成された受動回路と、 前記誘電体膜の上に形成され、前記能動回路と前記受動回路とを電気的に接続する第1の配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (12件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (8件)：
H01L27/04 A ,  H01L27/04 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 E ,  H01L27/06 F ,  H01L21/88 J ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 Q
Fターム (58件)：
5F033GG02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK13 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033VV10 ,  5F033XX02 ,  5F038AZ01 ,  5F038BE07 ,  5F038CA02 ,  5F038CA12 ,  5F038CD05 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GA18 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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