マイクロ波集積回路素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347407
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波集積回路において、プローブヘッドとI/Oパッドとの接触位置のばらつきを防止する。【解決手段】半導体基板の中央領域に形成された少なくとも信号線およびGND線を有する伝送線路を備えた回路形成部と半導体基板外部との電気的接続を行うための前記信号線用I/Oパッドと、GND線用I/Oパッドとを有するマイクロ波集積回路素子において、信号線用I/Oパッド先端部に突起パターンもしくはガイドパターンを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の中央領域に形成された少なくとも信号線およびGND線を有する伝送線路を備えた回路形成部と、前記回路形成部と前記半導体基板外部との電気的接続を行うための前記信号線用I/Oパッドと前記GND線用I/Oパッドとを有するマイクロ波集積回路素子において、前記信号線用I/Oパッドが、該信号線用I/Oパッド先端部に突起パターンよりなる一部領域を有することを特徴とするマイクロ波集積回路素子。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/82 W , H01L 27/04 D , H01L 21/90 B

Fターム (44件)：

5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ13 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR27 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033VV00 , 5F033VV05 , 5F033VV07 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033XX03 , 5F033XX14 , 5F033XX17 , 5F033XX27 , 5F038AZ01 , 5F038CA10 , 5F038CD02 , 5F038CD05 , 5F038CD13 , 5F038DF02 , 5F038EZ02 , 5F038EZ20 , 5F064BB01 , 5F064BB21 , 5F064CC26 , 5F064EE03 , 5F064EE22 , 5F064EE26 , 5F064EE45

引用特許：

審査官引用 (9件)

モノリシックマイクロ波集積回路および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-106894 出願人：エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120279 出願人：三洋電機株式会社
特開平2-090634

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