特許
J-GLOBAL ID:200903018831502926
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-223342
公開番号(公開出願番号):特開2000-058583
出願日: 1998年08月06日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】パッドに作用する応力に対して強い構造としながら、パッドとワイヤの接合強度を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】チップに形成された配線8と、その配線8に対し層間膜7を挟んで配置され、ボンディングワイヤ6を接合するパッド3とが、コンタクト9を介して接続されている。そして、パッド3の周辺部にコンタクト9が形成され、パッド3の中央部にワイヤ6を接合する領域に対応する数のコンタクト9が形成される。
請求項(抜粋):
チップに形成された配線と、その配線に対し層間膜を挟んで配置され、ボンディングワイヤを接合するパッドとを、コンタクトを介して接続した半導体装置であって、前記パッドの周辺部に前記コンタクトを形成するとともに、前記パッドの中央部に前記ワイヤを接合する領域に対応する数のコンタクトを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
, H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/60 301 N
, H01L 21/88 T
, H01L 23/12 F
Fターム (9件):
5F033AA29
, 5F033BA41
, 5F033CA01
, 5F033DA04
, 5F033DA28
, 5F033DA34
, 5F033EA25
, 5F044EE06
, 5F044EE12
引用特許:
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