半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237310
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064945
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、ボンディングパッド等の外部接続端子の接続領域を高密度に配置でき、かつ、信頼性が高い半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】各層の電極(100,200,300)を埋め込まれた導体層(110a〜110d,120a〜120d)により接続する。多層構造を推進しても段差が生じない。さらに、第2層目の電極(200)には開口部(130a〜130i)が設けられており、この開口部を介して第1の層間絶縁膜(160)と第2の層間絶縁膜(150)とが接続され、これにより、第3層目の電極(100)と第1層目の電極(300)との間には、層間絶縁膜による支柱(140)が介在することになる。よって、ワイヤーボンディング時に荷重が加えられても、層間絶縁膜(150,160)にクラックが生じない。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置であって、第1の層に属し、外部接続用の導電体が接続される第1の導体層と、前記第1の層より下層の第2の層に属し、かつ複数の開口部が設けられた第2の導体層と、前記第2の導体層より下層の第3の層に属する第3の導体層と、前記第1の導体層と前記第2の導体層との間に介在する第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜に設けられた第1の貫通孔と、この第1の貫通孔に充填された第4の導体層と、前記第2の導体層と前記第3の導体層との間に介在する第2の層間絶縁膜と、この第2の層間絶縁膜に設けられた第2の貫通孔と、この第2の貫通孔に充填された第5の導体層と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H05K 3/46

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P , H05K 3/46 S , H05K 3/46 B

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-046238 出願人：富士通株式会社
パッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-133972 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043402 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-046238 出願人：富士通株式会社
パッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-133972 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043402 出願人：三菱電機株式会社

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