半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052273
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293523
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、ボンディングパッド等の外部接続端子の接続領域を高密度に配置でき、かつ、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】下層電極110と上層電極100との間に層間絶縁膜130の中央にスルーホールが形成され、そのスルーホールに層間接続用の導電体120が埋め込まれている。そして、ボンディングワイヤ140のボール部分が、平面的にみて埋め込まれた導電体120を完全に覆うように、上層電極100に接続されている。本構造によれば段差が生じない。したがって、ボンディング領域の確保が容易であり、さらなる多層化も容易である。また、ボンディングワイヤ140をつたってくる水分の悪影響が、埋め込まれた金属120には及ばない。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置であって、第1の層に属し、外部接続用の端子が接続される第1の導体層と、第2の層に属する第2の導体層と、前記第1の導体層と前記第2の導体層との間に介在する電気的絶縁層と、前記電気的絶縁層に選択的に設けられた貫通孔に埋め込まれ、前記第1の導体層と第2の導体層とを電気的に接続する第3の導体層と、を具備し、前記第3の導体層は前記貫通孔に充填されており、その第3の導体層の上面および下面の位置はそれぞれ、前記電気的絶縁層の上面および下面と略同一の位置となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置のパッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152465 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-202082 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-031164 出願人：日本電気株式会社

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