特許
J-GLOBAL ID：200903018846392167
半導体装置用テープキャリアの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354284
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186597
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】無電解スズめっきの際に起きる配線パターン側面のスズの過剰析出を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置用テープキャリアを実現できる製造方法の提供。【解決手段】絶縁フィルム上にニッケルまたはニッケル-クロムスパッタ層を介して銅層を形成し、該銅層の上にレジストを施してから該銅層をパターニングして配線パターンを形成し、該レジストを施した状態で前記ニッケルまたはニッケル-クロムスパッタ層を除去する処理を行い、しかる後にレジストを除去して前記配線パターン上に無電解めっきによりスズめっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁フィルム上にニッケルまたはニッケル-クロムスパッタ層を介して銅層を形成し、該銅層の上にレジストを施してから該銅層をパターニングして配線パターンを形成し、該レジストを施した状態で前記ニッケルまたはニッケル-クロムスパッタ層を除去する処理を行い、しかる後にレジストを除去して前記配線パターン上に無電解めっきによりスズめっき層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F044MM04
, 5F044MM23
, 5F044MM48
