特許

J-GLOBAL ID：200903018851492641

電気的書込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐藤 敏哉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274886
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091979
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】セルトランジスタの書込み、消去の繰り返しにより書込み特性が劣化した場合においても最小限の時間で書込みを完了し、自動書込み動作の時間を最小限に抑え、セルトランジスタへのストレスを最低限に抑える。【解決手段】自動消去を実施する毎にアップカウントする不揮発性のカウンタを設け、書込み特性の劣化により、初期指定の書込み時間では再書込みを行う必要のある書換え回数に達した場合、初回の書込み時間を延長し、不必要な再書込と書込み確認動作をなくす。必要に応じ、再書込みの時間も別途適切な時間に設定する。こうすることで自動書込みの時間の最適化とセルトランジスタに無用にストレスを加えることがなくなり、製品寿命を長くすることが可能となり、自動書込の時間の短縮にもつながる。また、消去動作においても同様の手法をとることが可能。

請求項（抜粋）：

書込み回路と、セルトランジスタの閾値電圧判定回路と、書込み時間を制御する第1の書込み時間制御回路と、を少なくとも備え、前記第1の書込み時間制御回路により指定された書込み時間の間書込み動作を行ない、前記セルトランジスタ閾値電圧判定回路にて書込み完了を判定するまで書込み動作、書込み確認の動作を繰り返してなる、電気的に書込み可能な不揮発性半導体記憶装置において、書換え回数を記憶する第1の不揮発性記憶回路と、前記第1の不揮発性記憶回路に記憶された書換え回数を予め設定された所定の書換え回数と比較する第1の書換え回数判定回路と、を有し、前記第1の書換え回数判定回路により、前記所定の書換え回数に達したと判定された場合には、前記第1の書込み時間制御回路の書込み設定時間を前記所定の書換え回数に達する以前の書込み時間よりも長くすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 17/00 510 A ,  G11C 17/00 530 A ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160076   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269991   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-178319   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-250496