半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203205
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】銅を主成分とする金属配線上に、ボンディング用のアルミニウムパッドを形成することなく、直接ワイヤをボンディングしうる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板上に形成された銅を主成分とする金属配線の上にワイヤをボンディングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に銅を主成分とする金属配線を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、金又はアルミニウムのワイヤをボンディングする部分のみの絶縁膜を除去して金属配線の一部を露出する工程と、露出した金属配線の一部の表面層に銅シリサイド層又は銅とホウ素との化合物層を形成する工程と、銅シリサイド層又は銅とホウ素との化合物層の表面にワイヤをボンディングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された銅を主成分とする金属配線の上にワイヤをボンディングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に銅を主成分とする金属配線を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、金又はアルミニウムのワイヤをボンディングする部分のみの絶縁膜を除去して金属配線の一部を露出する工程と、露出した金属配線の一部の表面層に銅シリサイド層又は銅とホウ素との化合物層を形成する工程と、銅シリサイド層又は銅とホウ素との化合物層の表面にワイヤをボンディングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/88 T , H01L 21/88 M

Fターム (67件)：

5F033GG02 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK31 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ85 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033WW02 , 5F033XX09 , 5F033XX33 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE13

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-193477 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-137144 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-118318 出願人：株式会社リコー

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