半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093663
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289871
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】ソース及びドレインの形成が容易なDouble-gateFDMISFETを提供すること。【解決手段】一部に半導体層103が形成された基板と、半導体層103の対向する両側面上に形成されたゲート絶縁膜105と、ゲート絶縁膜105上に形成され、金属材料からなるゲート電極106と、ゲート絶縁膜105が形成されていない半導体層103の対向する両側面上に形成され、該半導体層103とショットキー接合されたソース及びドレイン電極107とを具備する。

請求項（抜粋）：

一部に、ほぼ直方体状の半導体層が形成された基板と、前記半導体層の対向する一対の側面上にそれぞれ形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され、金属材料からなるゲート電極と、前記ゲート絶縁膜が形成されていない半導体層の対向する一対の側面上に形成され、該半導体層とショットキー接合された金属材料からなるソース及びドレイン電極とを具備するMISFETを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/417 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 N , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 F , H01L 29/50 U , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 617 K

Fターム (99件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB22 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104FF04 , 4M104FF18 , 4M104FF26 , 4M104GG09 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB17 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE38 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110HK05 , 5F110HK50 , 5F110HL02 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110QQ19 , 5F140AA10 , 5F140AA21 , 5F140AA29 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ30 , 5F140BK28 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CC15

引用特許：

審査官引用 (10件)

MOS FETの製造方法と構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214556 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-191253 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-295527 出願人：株式会社東芝

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