半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191253
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024065
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのゲート電極42、47を金属あるいは金属化合物からなる材料で形成した半導体装置において、それぞれのトランジスタに対してそのしきい値電圧を別々にしかも容易に調整したものの提供が望まれている。【解決手段】同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置である。pMOSトランジスタのゲート電極47とnMOSトランジスタのゲート電極42とは仕事関数の異なる材料からなっている。nMOSトランジスタのゲート電極42に比べて、pMOSトランジスタのゲート電極47の方が仕事関数の大きい材料によって形成されている。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置において、pMOSトランジスタのゲート電極とnMOSトランジスタのゲート電極とが仕事関数の異なる材料からなり、nMOSトランジスタのゲート電極に比べ、pMOSトランジスタのゲート電極の方が仕事関数の大きい材料によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 301 C , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Fターム (54件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DA00 , 5F040DB01 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040EC12 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040FA01 , 5F040FA02 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FC28 , 5F048AA00 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG02 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-124405 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242059 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-185452 出願人：株式会社東芝

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