特許

J-GLOBAL ID：200903019033596802

シリコン単結晶ウエハーおよびその製造方法

発明者： 中居 克彦 ,  長谷部 政美 ,  太田 国照 ,  岩崎 俊夫 ,  石坂 和紀
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197550
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043393
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 COP等のgrown-in欠陥が少なく、かつ転位クラスター、あるいは表面付近の酸素析出物を低減させるシリコン単結晶製造条件、及びシリコン単結晶を提供することを目的としている。【解決手段】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶育成速度を0.8mm/分以下、又は結晶育成速度をV[mm/分]、シリコン融液と結晶界面の結晶温度勾配をG[°C/mm]としたときにV/Gが0.15[mm2/°C・分]以下となるような条件で結晶を育成し、かつ転位クラスター又は表面近傍の酸素析出物を低減するために、結晶成長時における融点から1200°C、1050°C〜900°C、600°C以下の冷却速度を制御する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶であって、表面異物計で測定したサイズ0.11μm以上のCOPの密度がウエハ全面にわたって104個/cm3以下、かつ転位クラスター密度がウエハー全面にわたって200個/cm3以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエハー。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 Z ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134274   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶の冷却方法および冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041566   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社