エピタキシャル薄膜

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-594127
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535224
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】高温超伝導体用のバッファ層、固体酸化物燃料電池(SOFC)における電解質、気体分離膜、または電子デバイス内の誘電体として用いるためのエピタキシャル薄膜を開示する。CCVD、CACVD、またはその他適するすべての堆積法を用いることによって、細孔がない理想的な結晶粒界および高密度構造を有するエピタキシャル膜を形成することができる。高温超電導体におけるバッファ層として用いるためにいくつかの異なるタイプの材料を開示する。さらに、SOFCにおいて電解質および電極を形成するためにエピタキシャル薄膜の使用することによって、細孔がなく理想的な結晶粒界/界面ミクロ構造に高密度化をもたらす。酸素および水素を生産するための気体分離膜も開示する。これらの半透膜は、多孔質セラミック基板上の混合導電性酸化物の高品質で高密度で気密でピンホールがないサブミクロンスケールの層によって形成される。コンデンサにおける誘電体としてのエピタキシャル薄膜も本明細書中で教示する。コンデンサは、それらの物理的構造および誘電率に依存するキャパシタンス値に従って利用する。本発明のエピタキシャル薄膜は、極めて高い誘電率を有する低損失の誘電層を形成する。この高い誘電率によって、電極間にDCバイアスを印加することによりキャパシタンスを調節することができるコンデンサを形成することができる。

請求項（抜粋）：

テクスチャード加工金属基板を含む製品であって、その基板上には、[SrTiO3]LaAlO3、およびSrLaAlO4からなる群から選択される材料を含むエピタキシャルバッファ層が形成されている製品。

IPC (2件)：

C30B 29/22 501 , H01G 4/33

FI (2件)：

C30B 29/22 501 J , H01G 4/06 102

Fターム (10件)：

4G077AA03 , 4G077BC53 , 4G077DB23 , 4G077ED04 , 4G077EF03 , 4G077HA08 , 5E082AB01 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082FG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

酸素イオン導電体薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-200685 出願人：東燃株式会社
鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-025651 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平4-225594

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