特許
J-GLOBAL ID:200903019124022680

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ▲柳▼川 信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-137937
公開番号(公開出願番号):特開2000-332198
出願日: 1999年05月19日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】 高周波用半導体デバイスにおいて、グランド用電極パッドをワイヤボンディングにより接地する場合に、ワイヤボンディングのインダクタンス成分が無視できずに、基板抵抗へ高周波電流が流れることによって生ずる電極雑音特性の劣化及び消費電力の増大を防止する。【解決手段】 高周波デバイスの動作周波数において、接地電極用パッドを接地するためのボンディングワイヤの持つインダクタンス成分Lb と共振するような容量C1 を、当該インダクタンス成分Lb に直列に接続する。この方法により、動作周波数において基板抵抗に高周波信号が流れなくなるので、デバイスの雑音特性が向上し、かつ消費電力を最小限に抑えることができる。
請求項(抜粋):
電子回路が集積化された半導体基板上に形成されたグランド電極を、ボンディングワイヤを用いて接地するように構成された半導体装置であって、前記ボンディングワイヤが有するインダクタンス成分と直列に容量を設け、前記電子回路の動作周波数において、前記容量と前記インタクタンス成分とにより共振回路を構成するようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Fターム (11件):
5F038AC05 ,  5F038AZ04 ,  5F038AZ05 ,  5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BH10 ,  5F038CD03 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20
引用特許:
審査官引用 (3件)

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