特許
J-GLOBAL ID：200903019131552708
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307633
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120882
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】機械的強度を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板11上にn型半導体層13、発光点を形成する活性層14およびp型半導体層15を順次積層してなる半導体層と、p型半導体層15上に設けられたp側電極16に導電性膜18を介して設けられたパッドメタル19と、パッドメタル19の表面を露出する状態で、パッドメタル19と上記半導体層とを覆う絶縁膜17bと、パッドメタル19極部と接続されたボンディングワイヤー21とを備えた半導体発光素子1において、ボンディングワイヤー21の端部を構成するボール部21aは、絶縁膜17b上にはみ出した状態でパッドメタル19上に接続されていることを特徴とする半導体発光素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられるとともに、発光点を形成する活性層を有する半導体層と、前記半導体層上に設けられた電極部と、前記電極部の表面を露出する状態で、前記電極部と前記半導体層とを覆う絶縁膜と、前記電極部と接続されたボンディングワイヤーとを備えた半導体発光素子において、
前記ボンディングワイヤーの端部を構成するボール部は、前記絶縁膜上にはみ出した状態で前記電極部に接続されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/022
, H01S5/343 610
5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AK08
, 5F173AP19
, 5F173MC30
, 5F173MD59
出願人引用 (1件)
-
GaN系半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-179875
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
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