特許
J-GLOBAL ID：200903083143379165

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
山路 太平

山路 太平 について

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高橋 典生

高橋 典生 について

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亀井 照夫

亀井 照夫 について


出願人/特許権者：
星和電機株式会社

星和電機株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081474
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280618
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 テレビカメラで撮影するときに、照明光が認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、認識用ランドの位置を正確かつ確実に認識することができ、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上にn型GaN層2、活性層3、p型GaN層4、及び電流拡散層5がこの順に積層されている。電流拡散層5上には、p電極6が形成されており、電流拡散層5、p型GaN層4、活性層3及びn型GaN層2をエッチングにより除去して得られたn電極形成孔7には、認識用ランドとしてのn電極8が形成されている。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してあり、組み立て時に目印とするための認識用ランドを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記認識用ランドは、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させた前記基板の表面上に形成してあることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/022
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/022
Fターム (17件)：
5F041AA36 ,  5F041AA45 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073FA27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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