特許

J-GLOBAL ID：200903019137202806

プラズマ処理方法

発明者： 浜 貴一 ,  石原 博之 ,  北村 彰規
出願人/特許権者： 東京エレクトロン山梨株式会社 ,  科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 亀谷 美明 (外1名) ,  亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377510
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200772
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置300の処理室102内にC4F8とCOとArから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し,下部電極106上のウェハWに形成されたSiO2膜層202をエッチングする。分析器302は,プラズマ中を通過した赤外レーザ光から赤外レーザ吸収分析法によりプラズマ中のエッチャントと副生成物の各含有量を測定する。制御器302は,測定される各含有量と,予め設定されているコンタクトホール204のアスペクト比の増加に対応するエッチャントと副生成物の各含有量とが同一になるようにO2の添加量を調整し,アスペクト比の増加に応じて添加量が連続的に増加されるO2が処理ガスに添加される。

請求項（抜粋）：

処理室内に導入された少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,前記処理ガスには,酸素が間欠的に添加されることを特徴とする,プラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 A

Fターム (37件)：

4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DA20 ,  4K057DB20 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DJ02 ,  4K057DJ03 ,  4K057DJ06 ,  4K057DM02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM08 ,  4K057DM22 ,  4K057DM23 ,  4K057DM35 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004CB03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334969   出願人：三菱電機株式会社
• 局所微量ガス添加ドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065745   出願人：株式会社日立製作所
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302138   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307054   出願人：株式会社リコー
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-244351   出願人：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046819   出願人：株式会社日立製作所