光起電力素子用裏面反射層及びその形成方法並びに光起電力素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199343
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064849
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、下地の金属または合金の酸化を防止し、高い反射率を有するテクスチャー構造の光起電力素子用裏面反射層及びその製造方法を提供することを目的とする。さらに、変換効率等の特性の優れた光起電力素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】金属または合金(以下、第1の金属)と、該第1の金属上に形成された第2の金属の透明酸化物層とからなる裏面反射層及び該裏面反射層上に半導体接合が形成された光起電力素子であって、前記第2の金属の電子親和力が前記第1の金属の電子親和力よりも0.46eV以上小さく、前記透明酸化物層が、少なくともH2Oおよび不活性ガスからなる雰囲気中で、前記第2の金属の組成比が化学量論組成の1.06〜1.2倍となるターゲットを用いてスパッタリング法により形成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属または合金(以下、第1の金属)と、該第1の金属上に形成された第2の金属の透明酸化物層とからなる光起電力素子用裏面反射層であって、前記第2の金属の電子親和力が前記第1の金属の電子親和力よりも0.46eV以上小さく、前記透明酸化物層が、少なくともH2Oおよび不活性ガスからなる雰囲気中で、前記第2の金属の組成比が化学量論組成の1.06〜1.2倍となるターゲットを用いてスパッタリング法により形成されたことを特徴とする光起電力素子用裏面反射層。

FI (2件)：

H01L 31/04 F , H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347457 出願人：キヤノン株式会社
光起電力素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020052 出願人：キヤノン株式会社
受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083414 出願人：ソニー株式会社

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