特許
J-GLOBAL ID：200903019193174319

半導体ウェハのダイシング方法

発明者：
矢野 正三

矢野 正三 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 飯田 敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370500
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173988
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハをダイシングする工程において、欠けの発生を防止し、更に、半導体チップの寸法と同寸法のダイボンドシートの小片をチップ裏面に簡易的に貼着一体化させるための手段を提供する。また、前述の問題点を一挙に解決する事を可能にする方法を提供する。【解決手段】 ダイボンドシート(2)が裏面側に貼合された半導体ウェハ(1)を、リングフレーム(3)に貼着固定されたレーザーマイクロジェットダイシング用テープ(24)により貼合支持固定した状態にて、半導体ウェハ(1)とダイボンドシート(2)とレーザーマイクロジェットダイシング用テープ(24)の粘着剤層(8)を、レーザービーム(5)がウォータージェット(6)によりガイドされるレーザーマイクロジェットダイシングによりフルカットダイシングする半導体ウェハのダイシング方法。
請求項（抜粋）：
ダイボンドシートが裏面側に貼合された半導体ウェハを、レーザーマイクロジェットダイシング用テープにより貼合支持固定した状態にて、半導体ウェハとダイボンドシートとレーザーマイクロジェットダイシング用テープの粘着剤層とを、レーザービームがウォータージェットによりガイドされるレーザーマイクロジェットダイシングによりフルカットダイシングすることを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K 26/14
FI (3件)：
B23K 26/00 320 E ,  B23K 26/14 Z ,  H01L 21/78 B
Fターム (4件)：
4E068AE01 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ07 ,  4E068DA10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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