特許
J-GLOBAL ID：200903019204625300

高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者：
小原 直樹

小原 直樹 について

, 
沢田 太助

沢田 太助 について

, 
北川 雅俊

北川 雅俊 について

, 
上野山 雄

上野山 雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278684
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102242
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 ガラス基体1上にDCマグネトロンスパッタ法によりAlの金属電極2を形成後、前記電極2上にRFマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてSrTiO33を形成し、再び前記高誘電体薄膜3上にAlの金属電極2を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。
請求項（抜粋）：
基体上の少なくとも片面に金属電極膜と高誘電体薄膜とが積層されている高誘電体薄膜コンデンサであって、前記金属電極膜として少なくともAlを含有する金属を用いることを特徴とする高誘電体薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 397 ,  H01G 4/18 ,  H01G 4/015
FI (3件)：
H01G 4/12 397 ,  H01G 4/24 301 E ,  H01G 4/24 331 B
Fターム (35件)：
5E001AB06 ,  5E001AC09 ,  5E001AC10 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE19 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG46 ,  5E082HH43 ,  5E082KK01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM09 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM