多層炭化ケイ素ウエハ

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296361
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121315
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】光センサによって検出が可能な高純度の炭化ケイ素ウエハを得る。【解決手段】炭化ケイ素ウエハ32は、第1SiC膜34〜第4SiC膜40を有する4層構造となっている。これらのSiC膜34〜40は、CVD法によって4回に分けて順次重ねて成膜してある。

請求項（抜粋）：

CVD法により炭化ケイ素の層を複数積層して形成したことを特徴とする多層炭化ケイ素ウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

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